パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059365
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226375
出願日： 1992年02月13日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】細線の形成を電子線リソグラフィーやX線リソグラフィーを用いることなく簡便に行う。【構成】 n型Alx Ga1-x As層3の全面に例えばSi3 N4 から成る第一の層9を形成し、その上に例えばAlから成る所定パターンの第二の層10をその側壁が基板表面に対して垂直になるように形成した後、第二の層10をマスクとして第一の層9をアンダーカットが生じるまで等方性エッチングする。次に、例えばAlを垂直蒸着して第三の層12を第一の層9よりも小さい厚さに形成した後、ショットキー金属を斜め蒸着することにより、第二の層10の端部とn型Alx Ga1-xAs層3上の第三の層12の端部との間の間隙を通してn型Alx Ga1-x As層3上にショットキー金属を堆積させてゲート電極13を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に上記基板に対してエッチング選択性を有する物質から成る第一の層を形成する工程と、上記第一の層上に上記第一の層を構成する物質に対してエッチング選択性を有する物質から成る所定パターンの第二の層をその側壁が上記基板の主面に対してほぼ垂直になるように形成する工程と、上記第二の層をマスクとして上記第一の層をそのアンダーカットが生じるまで等方性エッチングする工程と、上記第二の層を構成する物質と実質的に同一のエッチング特性を有する物質を上記基板の主面に対してほぼ垂直な方向から上記基板上に堆積させることにより第三の層を形成する工程と、パターン形成用の物質を上記基板の主面に対して斜めの方向から上記基板上に堆積させる工程と、上記第一の層、上記第二の層、上記第三の層及び上記第三の層上に堆積した上記パターン形成用の物質を除去する工程とを具備するパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/285 , H01L 21/302 , H01L 21/203

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