特許

J-GLOBAL ID：200903043123894975

チタンスパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： 矢 部 洋一郎 ,  石 上 隆 ,  渡 邊 光 一 ,  渡 辺 高 志 ,  高 阪 泰 郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-375914
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180243
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】 ダストの発生が有効に防止されたスパッタリングターゲットの提供【解決手段】 スパッタされる面の非エロージョン領域の少なくとも一部のX線回折により求められる結晶面(101)のピークの半値幅が0.25〜0.5であることを特徴とする、チタンスパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

スパッタされる面の非エロージョン領域の少なくとも一部のX線回折により求められる結晶面(101)のピークの半値幅が0.25〜0.5であることを特徴とする、チタンスパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C22C 14/00

FI (6件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 R ,  C22C 14/00 Z

Fターム (15件)：

4K029BA17 ,  4K029CA05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC07 ,  4K029DC12 ,  4K029DC22 ,  4M104BB14 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103NN10 ,  5F103PP20 ,  5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パーティクル発生防止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-104634   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-120961   出願人：三菱マテリアル株式会社
• マグネトロンスパッタリング用Tiターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-334784   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 高純度チタニウムスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-039801   出願人：株式会社ジャパンエナジー