特許

J-GLOBAL ID：200903043124283015

レジスト用樹脂、化学増幅型レジスト、パターン形成方法

発明者： 伊東 敏雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022919
公開番号（公開出願番号）：特開平10-218941
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：

【要約】【課題】 波長193nm光に対する透明性が高くかつノボラック樹脂と同程度のドライエッチング耐性を示すレジスト用樹脂を提供する。【解決手段】 下記(1)式で示されるポリ(アルコキシカルボニルノルボルネン)誘導体からなり、重量平均分子量が2,000〜500,000の範囲の樹脂。ただし、R1 はターシャリーブチルであり、R2 〜R4 はそれぞれ水素である。【化1】

請求項（抜粋）：

下記(1)式で示されるポリ(アルコキシカルボニルノルボルネン)誘導体からなることを特徴とするレジスト用樹脂(ただし、R1 はアルキル基を表す。また、R2 、R3 およびR4 それぞれは水素またはアルキル基を表し、しかも、全部同じでも、全部異なっても、一部同じでも良い。また、分子量は重量平均分子量でいって1,000〜1,000,000の範囲である。)。【化1】

IPC (4件)：

C08F 32/08 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C08F 32/08 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R