特許

J-GLOBAL ID：200903043125388775

化合物半導体結晶の成長方法

発明者： 大堀 達也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050026
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244112
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 Si基板上のIII-V族化合物半導体結晶の成長方法に関し、表面形状(モホロジ)を改善することのできるSi基板上のIII-V族化合物半導体結晶の成長方法を提供することを目的とする。【構成】 Si基板上に第1の単結晶III-V族化合物半導体層を成長する第1成長工程と、前記第1の単結晶III-V族化合物半導体層を研磨して、研磨表面を得る工程と、III族原料として初期にはIII族原子にエチル基が結合した原料を少なくとも一部用い、その後にはIII族原子にメチル基が結合した原料を一部用いて、前記研磨表面上に第2の単結晶III-V族化合物半導体層を有機金属気相成長法で成長する第2成長工程とを含む。

請求項（抜粋）：

Si基板上に第1の単結晶III-V族化合物半導体層を成長する第1成長工程と、前記第1の単結晶III-V族化合物半導体層を研磨して、研磨表面を得る工程と、III族原料として初期にはIII族原子にエチル基が結合した原料を少なくとも一部用い、その後にはIII族原子にメチル基が結合した原料を一部用いて、前記研磨表面上に第2の単結晶III-V族化合物半導体層を有機金属気相成長法で成長する第2成長工程とを含む化合物半導体結晶の成長方法。