特許
J-GLOBAL ID:200903043128323780

回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-182688
公開番号(公開出願番号):特開平6-021647
出願日: 1991年07月23日
公開日(公表日): 1994年01月28日
要約:
【要約】【目的】スルーホールの形成のための鍍金工程、及び配線パターンを形成時における該スルーホールの鍍金面を保護するためのドライフィルムによるテンティングを行うことなく、簡易に、且つ該配線パターンのスルーホールによる接続を確実に行うことが可能な回路基板の製造方法を提供する。【構成】両面に導電層2を有する絶縁基板1にスルーホール用の貫通孔3を設けた後、該導電層2表面にエッチングパターンを形成してエッチングを行うことにより配線パターン6を形成し、スルーホールに接続するパターン6'が該貫通孔3の周辺で露出するように配線パターン上にレジスト層4を形成し、次いで、貫通孔を含む貫通部に硬化性導電物質を充填して硬化させることよりなる回路基板の製造方法である。
請求項(抜粋):
両面に導電層を有する絶縁基板にスルーホール用の貫通孔を設けた後、該導電層表面にエッチングパターンを形成してエッチングを行うことにより配線パターンを形成し、スルーホールに接続するパターンが該貫通孔の周辺で露出するように配線パターン上にレジスト層を形成し、次いで、貫通孔を含む貫通部に硬化性導電物質を充填して硬化させることを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (2件):
H05K 3/40 ,  H05K 3/28

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