特許
J-GLOBAL ID：200903043129237275
プラズマCVD装置
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-144060
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：
【要約】【目的】 a-Si、SiNx、SiO2の成膜と、プラズマクリーニングを繰り返し行うことが出来て、十分に耐久性を備えたプラズマCVD装置を提供する。【構成】 排気系を有する真空槽内に少なくとも2個以上の対向した電極を有し、その1方の電極に高周波電力を印加して、真空槽内に導入したSiH4、NH3、N2O等の反応性ガスをプラズマ分解して、基板上にa-Si、SiNx、SiO2等の成膜を行うプラズマCVD装置において、高周波電力を印加する電極を熱膨張係数/耐力が1.0(10-6/K)/(kg/mm2)以下の材料で構成し、その表面にアルミニウム膜またはアルミナ膜を形成したプラズマCVD装置。
請求項（抜粋）：
排気系を有する真空槽内に少なくとも2個以上の対向した電極を有し、その1方の電極に高周波電力を印加して、真空槽内に導入したSiH4、NH3、N2O等の反応性ガスをプラズマ分解して、基板上にa-Si、SiNx、SiO2等の成膜を行うプラズマCVD装置において、高周波電力を印加する電極はその表面にアルミニウム膜またはアルミナ膜を形成したことを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (6件)：
C23C 16/50
, C23C 16/24
, C23C 16/34
, C23C 16/40
, H01L 21/205
, H01L 21/31
