半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329401
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243555
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】不純物拡散層の活性化度が高く、また、拡散の浅い不純物層を実現した半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体装置の不純物層のシリコン結晶中に20面体構造を有するボロンからなるクラスタを形成し、これをアクセプタとする。また、ボロンを高濃度でイオン注入して12個のボロンからなる20面体構造のクラスタを生成し、以後のプロセスの温度を700°C以上にしないようにしてボロンがシリコン化合物化してクラスタが減少するのを避ける。【効果】基板表面から浅い領域に、活性度の高い不純物層を形成することが可能である。12個のボロンからなる20面体構造のクラスタをアクセプタとして利用することにより、熱処理に向かないプロセスについても高濃度のドーピングを行える。

請求項（抜粋）：