特許

J-GLOBAL ID：200903043145034279

レーザー堆積法を用いた成膜方法及び装置

発明者： 高橋 亮
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 櫻井 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-128426
公開番号（公開出願番号）：特開平6-316761
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】〔目的〕 半導体ウエーハの表面に形成された多層配線用の接続孔内に高カバレッジで堆積層を形成できる成膜方法と装置を提供する。〔構成〕 ターゲット(2) にレーザービーム(LB)を照射することにより半導体ウエーハ(SUB) に向かう粒子の流れ(P) を発生させることと、この粒子の流れを低アスペクト比の絞り孔(4) で絞ることと、この絞られた粒子の流れ(p) が半導体ウエーハ(SUB) の接続孔形成箇所を含む所望の箇所に到達するようにターゲット(2) と半導体ウエーハ(SUB) との相対位置を変更することとから成る。好適に実施例においては、上記絞り孔(4) に超音波振動を行わせることを含んでいる。

請求項（抜粋）：

ターゲットの蒸発によって生じた金属イオン又はこの金属の化合物から成る粒子を半導体ウエーハに形成された多層配線用の接続孔の内部に到達させて堆積させる成膜方法において、前記ターゲットにレーザービームを照射することにより前記半導体ウエーハに向かう前記粒子の流れを発生させることと、この粒子の流れを低アスペクト比の絞り孔で絞ることと、この絞られた粒子の流れが前記半導体ウエーハ表面の前記接続孔形成箇所を含む所望の箇所に到達するように前記ターゲットと前記半導体ウエーハとの相対位置を変更することとから成ることを特徴とするレーザー堆積法を用いた成膜方法。

IPC (5件)：

C23C 14/28 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/90 ,  H01S 3/00