半導体素子のダイオ-ド及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114219
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340241
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】遅い逆電流減少特性を向上させることができるとともに、製造時のマスクの枚数を減らすことができ、かつ耐圧特性と信頼度を高めることができる半導体素子のダイオード及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 P- 層56をN- エピタキシャル層54内に、該N- エピタキシャル層54と波状の接合を成すように形成する。第2N+ 層58をP- 層56の表面近辺に選択的に形成し、P- 層56と共にアノード電極64に接続する。特に第2N+ 層58は前記P- 層56の中で波状の接合が深く形成される部分に形成する。

請求項（抜粋）：

カソード電極と接続する第1N+ 層と、この第1N+ 層上に形成されたN- エピタキシャル層と、このN- エピタキシャル層の表面近辺に形成され、このN- エピタキシャル層とは波状の接合を成すP- 層と、このP- 層の表面近辺に選択的に形成され、このP- 層と共にアノード電極と接続する第2N+ 層とを含むことを特徴とする半導体素子のダイオード。

IPC (2件)：

H01L 21/329 , H01L 29/861

FI (2件)：

H01L 29/91 B , H01L 29/91 D

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭57-139970
特開昭55-018010

審査官引用 (2件)

特開昭57-139970
特開昭55-018010

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