絶縁膜層分離IC製造

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：窪田英一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411689
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179670
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】二酸化ケイ素や窒化ケイ素など非常に薄い低応力誘電体材料と半導体層とで形成された可とう性の膜で集積回路(24、26、28、...30)を製造する汎用手法を提供する。【解決手段】膜(36)の半導体層中に半導体デバイス(24、26、28...30)を形成する。最初に、標準厚さの基板(18)から半導体膜層(36)を形成し、次いで、基板の薄い表面層をエッチングまたは研磨する。他のバージョンでは、ボンディングされた従来の集積回路ダイ用の支持および電気的相互接続として可とう性膜を使用し、膜中の複数の層に相互接続部を形成する。1つのそのような膜に複数のダイを接続することができ、膜は次いでマルチチップ・モジュールとしてパッケージされる。【選択図】図3a

請求項（抜粋）：

絶縁層分離された集積回路を製作する方法において、主表面を有する基板を提供するステップと、主表面に平行に基板にエッチング・バリア層を形成するステップと、主表面上に半導体デバイスを形成するステップと、半導体デバイスを形成した後、低応力絶縁膜を半導体デバイス上に堆積させるステップと、主表面に対向する基板の背面からエッチング・バリア層まで基板の一部をエッチングするステップとを含むことを特徴とする方法。

IPC (12件)：

H01L27/12 , H01L21/306 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/8234 , H01L27/00 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L29/786

FI (11件)：

H01L27/12 F , H01L27/00 301A , H01L27/08 331E , H01L29/78 653D , H01L27/08 102A , H01L27/08 102E , H01L29/72 P , H01L29/78 658A , H01L29/78 626C , H01L21/76 D , H01L21/306 B

Fターム (65件)：

5F003BB05 , 5F003BB90 , 5F003BC90 , 5F003BE08 , 5F003BE90 , 5F003BF03 , 5F003BG03 , 5F003BH18 , 5F003BP33 , 5F003BP94 , 5F003BP96 , 5F003BZ02 , 5F032AA03 , 5F032AA14 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA64 , 5F032AC02 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032CA17 , 5F032CA18 , 5F032DA12 , 5F032DA22 , 5F032DA28 , 5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043DD17 , 5F043DD21 , 5F043FF02 , 5F043FF03 , 5F043GG10 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BC12 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BG13 , 5F048CA00 , 5F048CA02 , 5F048CB02 , 5F048CB04 , 5F048CB07 , 5F110AA30 , 5F110BB11 , 5F110CC06 , 5F110DD21 , 5F110DD24 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110NN62 , 5F110QQ05

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第4,924,589号明細書
米国特許第5,103,557号明細書

審査官引用 (9件)

特開昭60-126871
特開平1-199476
特開昭63-229862

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