特許

J-GLOBAL ID：200903043151714044

測距モジュ-ル

発明者： 安達 泉
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013220
公開番号（公開出願番号）：特開2000-213931
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】 至近距離から遠距離までの広い距離レンジにある被測定物体の距離を測定可能な測距モジュールを提供する。【解決手段】 本モジュールは、遠距離測定用のスポット光源2A、2Cと、至近距離測定用の拡散光源3Aとを備え、スポット光源2A、2Cと、拡散光源3Aとを切り替えて発光させ、拡散光源3Aの発光時の半導体位置検出素子1の受光強度に応じてスポット光源2A、2Cの発光強度を制御することにより、至近距離から遠距離まで精度の高い距離測定を行なうことができる。

請求項（抜粋）：

光を被測定物体に投射して、被測定物体との距離を測定する測距モジュールにおいて、被測定物体表面に向けて小径のスポット光を照射する第1の発光素子と、近接域の広い角度範囲に対して光を照射する第2の発光素子と、前記第1の発光素子の光路上に配置された投光レンズと、前記第1の発光素子の光軸と垂直に配置される受光面を有し、前記各発光素子の照射光の前記被測定物体表面からの反射光を受光し、その光量に応じた電気信号を発生するとともに、入射光の受光面上での入射位置に応じた電気信号をあわせて出力する半導体位置検出素子と、前記半導体位置検出素子と被測定物体の間に配置され、被測定物体の反射光を前記半導体位置検出素子の受光面に集光する受光レンズと、前記第1の発光素子の発光時における前記半導体位置検出素子の受光面での入射光の入射位置に応じた第1の出力電気信号と、前記第2の発光素子の発光時における前記半導体位置検出素子の受光面への受光光量に応じた第2の出力電気信号に基づいて、前記被測定物体までの距離を検出する演算回路と、前記第1及び第2の発光素子の発光動作を切り替え制御するとともに、前記第1の発光素子の発光強度を、前記第2の出力電気信号の強度に基づいて制御する発光制御回路と、を備える測距モジュール。

IPC (2件)：

G01C 3/06 ,  G01B 11/00

FI (2件)：

G01C 3/06 A ,  G01B 11/00 A

Fターム (40件)：

2F065AA02 ,  2F065AA06 ,  2F065DD03 ,  2F065EE03 ,  2F065FF09 ,  2F065FF23 ,  2F065FF65 ,  2F065GG07 ,  2F065GG12 ,  2F065HH04 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ16 ,  2F065JJ18 ,  2F065KK02 ,  2F065LL04 ,  2F065LL22 ,  2F065LL26 ,  2F065NN01 ,  2F065NN16 ,  2F065PP22 ,  2F065QQ01 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ27 ,  2F065QQ28 ,  2F065QQ42 ,  2F065UU00 ,  2F065UU01 ,  2F065UU02 ,  2F112AA06 ,  2F112BA03 ,  2F112BA06 ,  2F112CA06 ,  2F112CA12 ,  2F112DA02 ,  2F112DA19 ,  2F112DA26 ,  2F112DA28 ,  2F112EA09 ,  2F112FA01 ,  2F112FA25