特許

J-GLOBAL ID：200903043163366700

半導体装置用基板

発明者： 長田 光生 ,  天野 良成 ,  小笠 伸夫 ,  大塚 昭
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 小松 秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325582
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013494
出願日： 1982年07月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 搭載した半導体素子より発生する熱を効率よく放熱すると共に、Al2O3系セラミック外囲器材料と熱膨張係数が近似しており、気密性に富んだ半導体装置のための基板を提供する。【構成】 タングステンまたはモリブデンの強固で緻密な骨格をなす多孔質の焼結体の空孔部に、溶浸法によりタングステン焼結体の場合、銅を5〜22重量%、モリブデン焼結体の場合銅を10〜25重量%隙間なく充填させて含有させてその熱膨張係数を外囲器材料のアルミナ系セラミックの熱膨張係数に合致させると共に溶浸後の焼結体密度比を実質100%としたことを特徴とする半導体素子搭載用の半導体装置用基板。

請求項（抜粋）：

タングステンまたはモリブデンの強固で緻密な骨格をなす多孔質の焼結体の空孔部に、溶浸法によりタングステン焼結体の場合、銅を5〜22重量%、モリブデン焼結体の場合銅を10〜25重量%隙間なく充填させて含有させてその熱膨張係数を外囲器材料のアルミナ系セラミックの熱膨張係数に合致させると共に溶浸後の焼結体密度比を実質100%としたことを特徴とする半導体素子搭載用の半導体装置用基板。

IPC (2件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/373

FI (2件)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-062776
  
• 特公平2-031863