特許

J-GLOBAL ID：200903043164880016

二次電池用電極の製造方法

発明者： 佐山 勝信 ,  樽井 久樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-353066
公開番号（公開出願番号）：特開2002-157999
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 集電体材料の活物質薄膜への拡散を制御して、集電体に対する活物質薄膜の密着性が良好で、かつサイクル特性に優れた二次電池とすることができる二次電池用電極の製造方法を得る。【解決手段】 表面処理層が形成された集電体上に活物質薄膜を堆積させて二次電池用電極を製造する方法であり、集電体表面の活性が低く集電体材料の活物質薄膜への拡散を高める必要がある場合には、集電体表面を液体で洗浄して表面処理層の少なくとも一部を除去した後、集電体表面上に活物質薄膜を堆積し、集電体表面の活性が高く集電体材料の活物質薄膜への拡散を高める必要がない場合には、集電体表面を洗浄せずに、集電体表面上に活物質薄膜を堆積することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

表面処理層が形成された集電体上に活物質薄膜を堆積させて二次電池用電極を製造する方法であって、前記活物質薄膜への前記集電体材料の拡散を高めるため、前記集電体表面を液体で洗浄して前記表面処理層の少なくとも一部を除去する工程と、前記洗浄工程後の前記集電体表面上に前記活物質薄膜を堆積する工程とを備える二次電池用電極の製造方法。

IPC (5件)：

H01M 4/04 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/38 ,  H01M 4/64 ,  H01M 4/66

FI (5件)：

H01M 4/04 A ,  H01M 4/02 D ,  H01M 4/38 Z ,  H01M 4/64 A ,  H01M 4/66 A

Fターム (22件)：

5H017AA03 ,  5H017AS02 ,  5H017BB16 ,  5H017CC01 ,  5H017DD01 ,  5H017EE01 ,  5H050AA07 ,  5H050AA14 ,  5H050BA16 ,  5H050CB11 ,  5H050DA03 ,  5H050DA07 ,  5H050FA15 ,  5H050FA19 ,  5H050FA20 ,  5H050GA12 ,  5H050GA14 ,  5H050GA17 ,  5H050GA18 ,  5H050GA24 ,  5H050GA25 ,  5H050GA27