特許

J-GLOBAL ID：200903043165293149

光起電力素子

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349587
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204540
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 長波長の感度を向上させ、光劣化を抑制し 残像特性を改善し、温度特性を改善した光起電力素子を提供すること。【構成】 a-Si:H半導体からなるp層、i層、n層を基体上に積層し、i層は、マイクロ波プラズマCVD法で形成されてなり、ゲルマニウムを含有するガスにマイクロ波を照射して生起されたプラズマの領域(A)と、シリコンを含有するガスにマイクロ波を照射して生起されたプラズマの領域(B)を分離し、領域(A)で生成されたゲルマニウムを含有するラジカルRgeと領域(B)で生成されたシリコンを含有するラジカルRSiを領域(A)とは異なる領域(C)で反応させる方法で形成され、且つi層は微結晶ゲルマニウムを含有し、該微結晶ゲルマニウムの粒径が50〜500Åであることを特徴とする。また、i層中のゲルマニウム含有量が層厚方向に変化していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非晶質シリコン系半導体からなるp層、i層、n層を基板上に積層し、i層はマイクロ波プラズマCVD法で形成されてなる光起電力素子において、i層は、ゲルマニウムを含有するガスにマイクロ波を照射して生起されたプラズマの領域(A)と、シリコンを含有するガスにマイクロ波を照射して生起されたプラズマの領域(B)を分離し、領域(A)で生成されたゲルマニウムを含有するラジカルRgと領域(B)で生成されたシリコンを含有するラジカルRsを領域(A)とは異なる領域(C)で反応させる方法で形成され、且つi層は微結晶ゲルマニウムを含有し、該微結晶ゲルマニウムの粒径が50〜500Åであることを特徴とする光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205