特許

J-GLOBAL ID：200903043168747515

シリコン基板の酸化方法

発明者： 牧川 新二 ,  江島 正毅 ,  小西 繁 ,  藤巻 幸雄 ,  神屋 和雄
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-165193
公開番号（公開出願番号）：特開平10-338515
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【解決手段】 シリコン基板を酸化して5μm以上の酸化膜を形成する方法であって、上記シリコン基板の酸化を酸性雰囲気にて行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。【効果】 本発明によれば、シリコン基板を酸化する雰囲気を硝酸性ガスもしくは炭酸性ガスなどの酸性雰囲気とすることで、酸化速度を速くし、5μm以上の酸化膜を速やかに形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を酸化して5μm以上の酸化膜を形成する方法であって、上記シリコン基板の酸化を酸性雰囲気にて行うことを特徴とするシリコン基板の酸化方法。

IPC (4件)：

C01B 33/12 ,  C01B 33/02 ,  C30B 29/06 ,  G02B 6/13

FI (4件)：

C01B 33/12 C ,  C01B 33/02 Z ,  C30B 29/06 B ,  G02B 6/12 M