特許
J-GLOBAL ID:200903043171054261

圧電性薄膜およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中尾 俊輔 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-086446
公開番号(公開出願番号):特開平11-284242
出願日: 1998年03月31日
公開日(公表日): 1999年10月15日
要約:
【要約】【課題】 下地界面付近の整合層によって圧電性を損なうことなく、安価で高性能な薄膜圧電素子を容易に実現できる圧電性薄膜およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 導電性酸化亜鉛薄膜2の上に絶縁性酸化亜鉛薄膜3を積層したこと。
請求項(抜粋):
導電性酸化亜鉛薄膜の上に絶縁性酸化亜鉛薄膜を積層したことを特徴とする圧電性薄膜。
IPC (2件):
H01L 41/09 ,  H01L 41/24
FI (2件):
H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 A

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