特許

J-GLOBAL ID：200903043184811290

半導体製造方法及び装置

発明者： 大浦 由貴
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-020218
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210601
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】 PH3(ホスフィン)を用いて、バッチ式の反応炉にてシリコン膜に燐ドープすることができるようにする。【解決手段】 ウェハ5を熱処理する反応炉1、3内に、ホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスを導入することにより、ウェハ5のシリコン膜中に燐を拡散させる熱拡散工程を有する半導体製造方法において、熱拡散工程を実行するに際し、ウェハ5を予め定められた処理温度(例えば800°C)よりも低い自然酸化膜の影響の少ない温度(例えば350°C)で反応炉内に挿入した後、ヒータ2を制御して反応炉内の温度を前記処理温度(例えば800°C)まで所定の温度上昇率(例えば5〜20°C/minの範囲の任意の値)にて上昇させつつ、ホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスを反応炉内に導入することで、燐ドープを行う。

請求項（抜粋）：

基板を熱処理する反応炉内に、ホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスを導入することにより、基板のシリコン膜中に燐を拡散させる熱拡散工程を有する半導体製造方法において、前記熱拡散工程を実行するに際し、基板を予め定められた基板処理温度よりも低い温度で反応炉内に挿入した後、反応炉内の温度を前記基板処理温度まで所定の温度上昇率にて上昇させつつ、ホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスを反応炉内に導入することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22

FI (2件)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/22 511 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013532   出願人：東京エレクトロン株式会社