特許
J-GLOBAL ID：200903043194116833
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-012452
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221235
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 熱衝撃が半導体装置に多数回反復して加わる厳しい環境中の半導体装置の電気的特性の低下を防止する。【構成】 支持電極(2)の凹部(2a)とダイオードチップ(1)との間に銅-鉄合金-銅の三層構造を有する金属積層部材(7)が固着される。金属積層部材(7)の一方の主面は第1の半田層(8)によって支持電極(2)に固着され、金属積層部材(7)の他方の主面は第2の半田層(12)によってダイオードチップ(1)に固着される。鉄合金は32〜42%Ni-残部Fe又は28〜30%Ni-54%Fe-残部Coから成る。第1の半田層(8)の厚みは第2の半田層(12)の厚みよりも大きく、インバー(9)の厚みは隣接する1つの銅層の厚みの1.5〜3倍である。金属積層部材(7)の線膨張係数は、支持電極(2)の線膨張係数とダイオードチップ(1)の線膨張係数の間であり且つダイオードチップ(1)の線膨張係数に近いので、ダイオードチップ(1)に加わる機械的応力を十分に緩和してチップ割れを防止することができる。
請求項（抜粋）：
銅を主成分とする金属により形成されかつ凹部を有する支持電極と、リード電極と、前記支持電極の凹部の底部と前記リード電極との間に接続された半導体チップとを備え、前記支持電極の凹部と前記半導体チップとの間に銅-鉄合金-銅の三層構造を有する金属積層部材が固着され、前記金属積層部材の一方の主面は第1の半田層によって前記支持電極に固着され、前記金属積層部材の他方の主面は第2の半田層によって前記半導体チップに固着された半導体装置において、前記鉄合金は32〜42%Ni-残部Fe又は28〜30%Ni-54%Fe-残部Coから成り、前記金属積層部材の線膨張係数は前記支持電極の線膨張係数と前記半導体チップの線膨張係数との間の値であり且つ前記半導体チップの線膨張係数に近く、前記第1の半田層の厚みは前記第2の半田層の厚みよりも大きく且つ鉄合金の厚みは隣接する1つの銅層の厚みの1.5〜3倍であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/48
, C22C 38/00 302
, C22C 38/08
