特許
J-GLOBAL ID：200903043199005720
リフローはんだ付け装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-063948
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275947
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 装置内のガス濃度をはんだリフローに充分な値に維持するとともに、高価なガスの消耗量を低減して、運転経費が低く、経済性の高いリフローはんだ付け装置を提供する。【構成】 はんだを塗布した回路基板に電子部品を装着してなる被処理物31をコンベア30により予熱室1,2およびリフロー室3および冷却室4に搬送し、被処理物31に所望の濃度,温度の熱ガスを吹き付けて、はんだを溶融させてはんだ付けをする。予熱室1,2および冷却室4の貫流送風機8,25の回転数をリフロー室3の貫流送風機16の回転数に対して、リフロー室3のガス濃度を最大となるように制御してガス流量調節弁33の開度を低減して、供給ガスの消耗量を低減する。
請求項（抜粋）：
はんだを塗布した回路基板に電子部品を装着してなる被処理物を、不活性ガスの加熱手段と吹き付け手段とを備えた予熱室およびリフロー室を通過するように搬送し、その通過中に前記被処理物に所望の濃度と温度の不活性ガスを吹き付けて予熱および本加熱を行なって前記はんだを溶融させ、前記リフロー室に続く、不活性ガスの冷却手段と吹き付け手段とを備えた冷却室にて、前記被処理物に冷えた不活性ガスを吹き付けてはんだを固化させ前記電子部品を前記回路基板上にはんだ付けするリフローはんだ付け装置において、前記リフロー室に不活性ガスの供給手段ならびに不活性ガスの濃度および温度を検出する手段を設け、前記予熱室および冷却室に不活性ガスの温度検出手段を設け、さらに、前記リフロー室に設けた温度検出手段の出力に基づいて前記リフロー室での不活性ガス吹き付けの温度と速度をはんだリフローに必要な値とする第一の制御手段と、前記リフロー室に設けた濃度検出手段の出力に基づいて前記リフロー室が所望の不活性ガス濃度となる前記予熱室および冷却室での吹き付け速度とする第二の制御手段と、前記予熱室および冷却室での不活性ガス吹き付けの温度がはんだ予熱および固化に必要な所望の値になるように前記予熱室および冷却室の不活性ガス加熱手段および冷却手段を制御する第三の制御手段とを設けたこ特徴とするリフローはんだ付け装置。
IPC (4件)：
H05K 3/34
, B23K 1/008
, B23K 31/02
, H01L 21/52
