特許

J-GLOBAL ID：200903043200837408

光電陰極及び電子管

発明者： 菅 博文 ,  新垣 実 ,  内山 昌一 ,  立野 眞純 ,  二橋 得明
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350733
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188782
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 広い波長範囲にわたって高い分光感度を有する光電陰極及びそれを用いる電子管を提供することを目的とする。【解決手段】 光電陰極10は、サファイヤの基板11と、基板11上にInx1(Aly1Ga1-y1)1-x1Nにより形成され、被検出光の入射により光電子を発生させる活性層12と、基板11と活性層12との間にInx2(Aly2Ga1-y2)1-x2Nにより形成され、基板11と活性層12との格子不整を緩和するバッファ層13とを備え、Inx1(Aly1Ga1-y1)1-x1Nの組成がx1>0且つ0≦y1≦1の範囲にあり、Inx2(Aly2Ga1-y2)1-x2Nの組成がx2>0且つ0≦y2≦1の範囲にある。このとき、構成元素が同じである活性層12及びバッファ層13はInを含むため、各元素組成の調整により、基板11及び活性層12の格子不整が容易に緩和されると共に、波長が200nm〜600nmの被検出光の吸収により活性層12から光電子が効率的に発生する。

請求項（抜粋）：

検出対象である被検出光の入射により光電子が放出される光電陰極であって、サファイヤからなる基板と、前記基板上にInx1(Aly1Ga1-y1)1-x1Nによって形成され、被検出光の吸収により光電子を発生させるための活性層と、前記基板と前記活性層との間にInx2(Aly2Ga1-y2)1-x2Nによって形成され、前記基板と前記活性層との格子不整を緩和するためのバッファ層と、を備え、前記活性層を形成するInx1(Aly1Ga1-y1)1-x1Nの組成がx1>0且つ0≦y1≦1の範囲にあり、前記バッファ層を形成するInx2(Aly2Ga1-y2)1-x2Nの組成がx2>0且つ0≦y2≦1の範囲にあることを特徴とする光電陰極。

IPC (2件)：

H01J 1/34 ,  H01J 40/06

FI (2件)：

H01J 1/34 C ,  H01J 40/06