特許

J-GLOBAL ID：200903043203714480

半導体装置およびその製造方法

発明者： 手塚 勉 ,  黒部 篤 ,  杉山 直治 ,  臼田 宏治 ,  今井 聖支 ,  平岡 佳子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338876
公開番号（公開出願番号）：特開平9-180999
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】低転位密度の歪みSi層を有し、その下地のSiGe層が薄いSOI基板を提供すること。【解決手段】Si層3上に転位変換層としてのGe層4を介してSi0.7 Ge0.3 バッファ層5を成長させた後、熱処理によりSi0.7 Ge0.3 バッファ層5を格子緩和させる。この後、Si0.7 Ge0.3 バッファ層5上に歪みSi層6を成長させる。

請求項（抜粋）：

シリコン支持板上に、シリコン酸化層、第1のシリコン層、シリコンゲルマニウム層、歪み状態の第2のシリコン層が順次積層されてなり、前記第1のシリコン層と前記シリコンゲルマニウム層との間に、無歪み状態での格子定数が、無歪みのシリコンの格子定数および前記シリコンゲルマニウム層と同組成におけるシリコンゲルマニウムの格子定数と異なる格子定数を有する転位変換層が挿設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 R