特許

J-GLOBAL ID：200903043204309279

セラミックス薄膜の製造方法

発明者： 田村 博明 ,  長谷川 和正
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266226
公開番号（公開出願番号）：特開平11-106279
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月20日
要約：

【要約】【課題】ポストアニール方式により得られるセラミックス薄膜は、非晶質膜から結晶膜への移行過程で結晶核が膜中のいたるところから発生するため、ランダム配向の多結晶膜となってしまい、セラミックス薄膜の物性が低下してしまうことが課題であった。【解決手段】基板203上の非晶質膜201を結晶化させる際、基板203側からのみ赤外線ランプ211によって加熱し結晶化させる焼成法とする。

請求項（抜粋）：

(1)基板上に非晶質状の前駆体膜を形成する工程と、(2)これを加熱焼成し結晶化させる工程とからなるセラミックス薄膜の製造方法において、前記(2)工程の加熱時に基板側からのみ赤外線ランプによって加熱することを特徴とするセラミックス薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 1/00 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/24

FI (3件)：

C30B 1/00 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/22 A