特許
J-GLOBAL ID:200903043205186251
応力センサー
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岡田 和秀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-164586
公開番号(公開出願番号):特開2002-357489
出願日: 2001年05月31日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子を用いた応力センサーにおいて、高出力なセンサーを提供する。【解決手段】 磁化が一方向に固着されている磁化固着層と、絶縁層と、磁歪を有する磁化自由層とを順次積層してなる磁気抵抗効果素子を備えた応力センサーであって、MR比を大きくすることができるため、出力の高い応力センサーを得ることができる。
請求項(抜粋):
磁化が一方向に固着されている磁化固着層と、絶縁層と、磁歪を有する磁化自由層とを順次積層してなる磁気抵抗効果素子を備えた応力センサーであって、前記磁気抵抗効果素子に応力が印加されたときに、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値変化から、印加された応力を検知することを特徴とする応力センサー。
IPC (4件):
G01L 1/12
, G01L 9/14
, G01P 15/105
, H01L 43/08
FI (6件):
G01L 1/12
, G01L 9/14
, H01L 43/08 B
, H01L 43/08 U
, H01L 43/08 Z
, G01P 15/08 C
Fターム (7件):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC60
, 2F055DD20
, 2F055EE27
, 2F055FF11
, 2F055GG11
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