特許
J-GLOBAL ID：200903043205357110
ウォブリング用位相制御素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201752
公開番号（公開出願番号）：特開平7-036013
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【構成】 光学的に透明な基体20、21上に光学的に透明な電極13、14を形成する工程と;この電極上に配向膜22、23を形成する工程と、この配向膜の形成前にイオンの混入を防止する第1の処置を施す工程と;前記配向膜の形成後に複数の前記基体を前記対向膜の側で対向させ、一定の間隙を置いて互いに接着する工程と;前記間隙内に液晶15を注入する工程と;この液晶の注入前にイオンの混入を防止する第2の処置を施す工程と;前記液晶の注入後に少なくとも液晶注入口を封止する工程と;を有する、ウォブリング用位相制御素子3の製造方法。【効果】 ウォブリング用の液晶位相制御素子を確実にして容易に作製することができる。しかも、上記の第1の処置と第2の処置によって、液晶素子の作製プロセスのうち特にイオンの混入が生じ易い段階でのイオンの混入を十分に防止することができるため、得られた素子は良好なメモリ性及びコントラストを示し、かつ応答性が大幅に向上する。
請求項（抜粋）：
光学的に透明な基体上に光学的に透明な電極を形成する工程と;この電極上に配向膜を形成する工程と、この配向膜の形成前にイオンの混入を防止する第1の処置を施す工程と;前記配向膜の形成後に複数の前記基体を前記対向膜の側で対向させ、一定の間隙を置いて互いに接着する工程と;前記間隙内に液晶を注入する工程と;この液晶の注入前にイオンの混入を防止する第2の処置を施す工程と;前記液晶の注入後に少なくとも液晶注入口を封止する工程と;を有する、ウォブリング用位相制御素子の製造方法。
IPC (2件)：
G02F 1/13 505
, G02F 1/1341
