特許
J-GLOBAL ID：200903043206839127
半導体素子および半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-030815
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228480
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】集積回路の高集積化とともに、信頼性を向上させることを可能とする半導体素子及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、多角柱体の少なくとも一つの側面に配置形成された集積回路と、この多角柱体の側面、底面、または上面から任意に選ばれた少なくとも一面に配置された、この集積回路と外部電極とを接続する電極とを備えたことを特徴とする。これにより、半導体素子が小型となり、これを組み合わせて構成する半導体装置がコンパクトとなる。
請求項（抜粋）：
多角柱体の少なくとも一つの側面に配置形成された集積回路と、この多角柱体の側面、底面、または上面から任意に選ばれた少なくとも一面に配置された、この集積回路と外部電極とを接続する電極とを備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 25/00 A
, H01L 23/52 C
