特許

J-GLOBAL ID：200903043207919221

半導体装置及びその製造方法

発明者： 峰 利之 ,  飯島 晋平 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077430
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】微細な平面面積で大きな蓄積容量が得られる半導体装置を提供すること。【構成】2重の筒状の外周部と内周部とそれらの下部を接続する底部とからなる蓄積電極115が同一層から形成され、その外周部と内周部の上端がほぼ同じ高さにある半導体装置。

請求項（抜粋）：

2重の筒状の外周部と内周部とそれらの下部を接続する底部とからなる蓄積電極及びトランジスタからなる半導体素子を有する半導体装置において、上記外周部、内周部及び底部は、同一層からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/10 325 M