特許

J-GLOBAL ID：200903043212201215

ボールグリッドアレイ型半導体パッケージの製造方法

発明者： 清水 淳一郎 ,  伊吹 秀光 ,  鈴木 篤志
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294147
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153819
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 高密度実装化に伴うBGAの信頼性の向上【構成】 プリント樹脂基板1の上下両面及びスルーホール2内に銅メッキ層3を施し、全ての回路パターンと接続する共通電極7を含む3個分のBGAを構成する回路パターンを形成し、上下面にアクリル系のドライフイルム4をラミネートし、回路パターン面にNi-Auメッキ層を形成した後、パターン分離は完成BGAの製品分離ライン10に沿って、その四隅に連結部10aを残す如くルーター加工で長穴19を設け、上面にICチップをワイヤーボンディング実装し、封止樹脂でトランスファーモールドし、下面に半田バンプを形成後、製品分離工程で前記連結部10aを分離し、単個抜きしてBGAを製造する。【効果】 多数個取りの回路基板の所定面積にパッド数の増加を可能にし、製品分離の際に、クラック及びパッドの密着剥がれが発生しない。

請求項（抜粋）：

上下両面に銅箔層を形成したプリント樹脂基板にスルーホールを形成した後、銅メッキを施す工程と、少なくとも全ての回路パターンと接続される共通電極を含む複数個分のボールグリッドアレイを構成する回路パターンを形成する回路パターン形成工程と、前記プリント樹脂基板の上下両面に感光性樹脂皮膜を施した後、エッチングにより少なくともICチップ、ボンディングワイヤ及び半田バンプの各接続部を除くようにドライフイルムを形成するドライフイルムラミネート工程と、前記プリント樹脂基板上面側の少なくともICチップ及びボンディングワイヤを接続するパターンに、少なくとも金を含む金属メッキ層を施すメッキ工程と、前記回路パターンと共通電極との接続を切り離すパターン分離工程と、前記プリント樹脂基板の上面にICチップを搭載してワイヤーボンディングし、前記ICチップをトランスファーモールドにより樹脂封止する工程と、前記プリント樹脂基板の下面側にマザーボード接続用の複数の半田バンプを形成する工程と、前記複数個のボールグリッドアレイを製品分離ラインに沿って分離する製品分離工程とよりなるボールグリッドアレイ型半導体パッケージの製造方法において、前記パターン分離工程は、一部にプリント樹脂基板と連結部を残す如く前記製品分離ラインに沿って施される穴加工工程であり、前記製品分離工程は、前記プリント樹脂基板との前記連結部を切り離す工程であることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体パッケージの製造方法。