縦型絶縁ゲート型トランジスタの製法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344194
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196707
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 XMOSトランジスタを確実に製造できるようにする。【構成】半導体基板11に、選択的にソース領域ないしはドレイン領域(S/D領域)12を形成する工程と、半導体基板11上に、チャネル形成部となる突出部13を形成する工程と、突出部13の壁面13sにゲート絶縁層14を形成する工程と、ゲート絶縁層14に接して例えば対のゲート電極15を形成する工程とを採る。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、選択的にソース領域ないしはドレイン領域を形成する工程と、前記半導体基板上に、チャネル形成部となる突出部を形成する工程と、該突出部の壁面にゲート絶縁層を形成する工程と、該ゲート絶縁層に接してゲート電極を形成する工程とを採ることを特徴とする縦型絶縁ゲート型トランジスタの製法。

IPC (2件)：

H01L 29/784 , H01L 29/44

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-294585
特開平4-294585
特開平2-052469

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