特許
J-GLOBAL ID：200903043214999184
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-153272
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347472
出願日： 2002年05月28日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 ランド又は金属バンプを外部端子として用いる半導体装置において、実装信頼性を低下させることなく、外部端子と接続する高密度な配線を容易に且つ確実に配置できるようにする。【解決手段】 半導体チップ11の主面上には、絶縁樹脂膜14を介して基本ランド17Aと小型ランド17B及び補助ランド17Cからなる小型ランド対とが形成されている。基本ランド17A及び小型ランド17Bは、金属配線18により素子電極12と接続されると共に、ソルダレジスト膜19の開口部を通して金属バンプ20と接続されている。金属配線18の一部は、小型ランド対の間の領域において、ソルダレジスト膜19によって絶縁された状態で配置されており、小型ランド17Bの上に形成された金属バンプ20は小型ランド対の間に位置する金属配線18の上側を跨いで補助ランド17Cと接続されている。
請求項（抜粋）：
複数の素子電極を有する半導体チップの上に形成された第1の外部電極及び第2の外部電極と、前記半導体チップ上に前記第1の外部電極と間隔をおいて対向するように形成された島状の固着部と、端部が前記第1の外部電極と接続された第1の配線と、端部が前記第2の外部電極と接続され、一部が前記第1の外部電極と前記固着部との間にあって、前記第1の外部電極及び固着部とは絶縁状態で配置された第2の配線と、前記第1の配線及び第2の配線の上を含み、且つ前記第1の外部電極、第2の外部電極及び固着部の上を除く前記半導体チップ上のほぼ全面に形成された絶縁膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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