特許

J-GLOBAL ID：200903043219241638

電圧制御発振器

発明者： 山之上 雅文 ,  田口 滋也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-266555
公開番号（公開出願番号）：特開2004-104648
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】広帯域の発振範囲と高い位相雑音特性とを兼ね備えた電圧制御発振器を提供する。【解決手段】第1PMOSトランジスタP1および第1NMOSトランジスタN1の各ゲート端子に第1バッファ回路(101,102,105,106)の出力端子を接続し、第1バッファ回路(101,102,105,106)の入力端子をインダクタンス素子L1の他端に接続する。第2PMOSトランジスタP2および第2NMOSトランジスタN2の各ゲート端子に第2バッファ回路(103,104,107,108)の出力端子を接続し、第2バッファ回路(103,104,107,108)の入力端子をインダクタンス素子L1の一端に接続する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

電圧制御端子側が対向するように直列に接続された2つのバラクタからなるバラクタ対と、 上記バラクタ対の両端に並列に接続されたインダクタンス素子と、 上記インダクタンス素子の一端にソース端子が接続され、ドレイン端子が電源に接続された第1PMOSトランジスタと、 上記インダクタンス素子の他端にソース端子が接続され、ドレイン端子が電源に接続された第2PMOSトランジスタと、 上記インダクタンス素子の一端にドレイン端子が接続され、ソース端子がグランドに接続された第1NMOSトランジスタと、 上記インダクタンス素子の他端にドレイン端子が接続され、ソース端子がグランドに接続された第2NMOSトランジスタと、 上記第1PMOSトランジスタおよび上記第1NMOSトランジスタの各ゲート端子に出力端子が接続され、入力端子が上記インダクタンス素子の他端に接続された第1バッファ回路と、 上記第2PMOSトランジスタおよび上記第2NMOSトランジスタの各ゲート端子に出力端子が接続され、入力端子が上記インダクタンス素子の一端に接続された第2バッファ回路とを備えたことを特徴とする電圧制御発振器。

IPC (1件)：

H03B5/12

FI (1件)：

H03B5/12 B

Fターム (15件)：

5J081AA02 ,  5J081CC07 ,  5J081CC20 ,  5J081CC30 ,  5J081DD04 ,  5J081DD11 ,  5J081EE02 ,  5J081EE03 ,  5J081EE18 ,  5J081FF17 ,  5J081GG05 ,  5J081KK01 ,  5J081KK06 ,  5J081LL01 ,  5J081MM01