特許
J-GLOBAL ID：200903043222098285
半導体装置の製造方法及びその製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-330496
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166720
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】ウェハにレジストを塗布した後、直ちに、ウェハのオリエンテーション・フラット部に形成されたレジスト膜を簡単に除去することができる半導体装置の製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】位置検出手段5により、レジスト膜4が形成されたウェハ3のオリエンテーション・フラット部12の位置を検出した後、レジスト膜を溶解する薬液を滴下し、オリエンテーション・フラット部12の内側から外側に向けて不活性ガスを吹きつけると共に、前記内側から外側に向けて吸気し、この部分のレジスト膜4を除去する。
請求項（抜粋）：
ウェハにレジスト膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記レジスト膜が形成されたウェハのオリエンテーション・フラット部に、当該レジスト膜を溶解する薬液を滴下し、当該オリエンテーション・フラット部のレジスト膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 361 W
, H01L 21/30 361 F
