特許
J-GLOBAL ID：200903043223935555
絶縁膜の製造方法及びこれを用いた薄膜トランジスター素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112488
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 大面積の基板を陽極酸化する場合に膜欠陥のない緻密な陽極酸化膜を得ることを目的とする。【構成】 ガラス基板1の上に、Al:Si膜を堆積し、フォトリソグラフィとエッチングによりゲート電極2を3000Å形成する(図2a)。電極表面を酸素雰囲気中で400°C、5分間プラズマ処理することにより、電極表面を改質する(図2b)。陽極酸化法によりAl2O3膜4を2000Å形成する(図2c)。P-CVD法で第2のSiNxゲート絶縁膜5とa-Si半導体層6とその上に設けられたチャンネルストッパ層SiNx膜7を各々2000Å,500Å,1000Åの厚さに連続製膜する(図2d)。SiNx膜7を選択的にエッチングし、チャンネルストッパ層とする(図2e)。Alをスパッタリング法で形成した後、フォトリソグラフィとエッチングにより、ソース電極8を形成する(図2f)。
請求項（抜粋）：
電極表面を酸素あるいは窒素雰囲気中のプラズマ処理によって改質した後に、陽極酸化法により絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/316
