特許

J-GLOBAL ID：200903043229422819

導波路型半導体受光器

発明者： 池田 睦夫 ,  赤津 祐史 ,  幸前 篤郎
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-247172
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092872
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 暗電流が少なく、信頼性の高い導波路型半導体受光器を提供することにある。【解決手段】 第1の半導体層よりなるクラッド層13と、屈折率が第1の半導体層より大きくエネルギーギャップが第1の半導体層より小さい第2の半導体層よりなる光吸収層14と、屈折率が第2の半導体層より小さくエネルギーギャップが第2の半導体層より大きい第3の半導体層よりなるクラッド層15とが順次積層された光導波路と、該第3の半導体層よりなるクラッド層15上に設けられたショットキー電極17と、前記第1の半導体層13よりなるクラッド層に至る電気的経路に光吸収層14が存しない様に配置された電極18とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層よりなるクラッド層と、屈折率が第1の半導体層より大きくエネルギーギャップが第1の半導体層より小さい第2の半導体層よりなる光吸収層と、屈折率が第2の半導体層より小さくエネルギーギャップが第2の半導体層より大きい第3の半導体層よりなるクラッド層とが順次積層された光導波路と、該第3の半導体層上に設けられたショットキー電極と、前記第1の半導体層よりなるクラッド層に至る電気的経路に光吸収層が存しない様に配置された電極とを有することを特徴とする導波路型半導体受光器。