特許

J-GLOBAL ID：200903043241401010

III族窒化物半導体素子およびそれを用いた発光素子

発明者： 桜井 哲朗
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-368945
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210091
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 逆方向に電流が流れ出す閾値の電圧、即ち逆耐圧電圧が大きいIII族窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 基板上にIII族窒化物半導体単結晶のn型層、発光層およびp型層をこの順序で有し、n型層およびp型層に負極および正極がそれぞれ設けられた発光素子において、基板に接してシリコンドープのAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなる層が存在することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上に複数のIII族窒化物半導体層を有するIII族窒化物半導体素子において、基板と接する第1層がシリコンドープのAlxGa1-xN(0≦x≦1)からなることを特徴とするIII族窒化物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610

Fターム (36件)：

5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045CA09 ,  5F045DA55 ,  5F045DA59 ,  5F045DA61 ,  5F045EB12 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE13 ,  5F045EE17 ,  5F173AG12 ,  5F173AH01 ,  5F173AR61

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-229476号公報
  
• 国際公開第02/17369パンフレット
  

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-043960   出願人：松下電器産業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-341357   出願人：豊田合成株式会社