酸化物膜、積層体およびそれらの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-087001
公開番号（公開出願番号）：特開平10-237630
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：

【要約】【課題】内部応力の低い酸化物膜と該酸化物膜積層体およびそれらの製造方法の提供。【解決手段】金属を主成分とするターゲットを用いて、スパッタリング法により、基体上に酸化物膜を製造する方法において、炭素原子を含むガスを含有する雰囲気中でスパッタリングを行うことを特徴とする酸化物膜の製造方法と炭素を含有する透明導電性酸化物膜。

請求項（抜粋）：

金属を主成分とするターゲットを用いて、スパッタリング法により、基体上に酸化物膜を製造する方法において、炭素原子を含むガスを含有する雰囲気中でスパッタリングを行うことを特徴とする酸化物膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/08 , C23C 14/06 , C23C 14/34

FI (3件)：

C23C 14/08 K , C23C 14/06 P , C23C 14/34 N

引用特許：

審査官引用 (6件)

特公昭56-021349
光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-245803 出願人：キヤノン株式会社
スパッタ成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-124233 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る