特許
J-GLOBAL ID：200903043242570525
反応性スパツタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229987
公開番号（公開出願番号）：特開平5-065642
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体製造プロセスや電子部品材料等の製造工程に使用する反応性スパッタリングにおいて、薄膜形成速度の低下を抑制する反応性スパッタリング装置の提供を目的とする。【構成】 反応性ガス6と放電ガス5の供給位置を別々に設けるもので、ターゲット7に複数の小孔20を設けるとともに放電ガス5をその小孔を通じてターゲット7のエロージョン領域13から供給するよう構成することにより、ターゲット7表面近傍で形成されるマグネトロン放電によるプラズマに寄与するガスのうちの大部分が放電ガス5になり、スパッタ粒子の放出を妨げる。ターゲット材と反応性ガス6との化合物が形成されにくくなるため、化合物薄膜の形成速度の低下を抑制することができる。
請求項（抜粋）：
チャンバーと、前記チャンバーの内面に固定されたカソードと、前記カソードに取り付けられ複数の小孔を有するターゲットと、前記チャンバー内の空気を真空排気する真空排気手段と、前記チャンバーの一部に配され、反応性ガスをチャンバー内に供給する第1のガス導入手段と、前記ターゲットの小孔を通じて放電ガスを前記ターゲットのエロージョン領域から前記チャンバー内に供給するように配された第2のガス導入手段と、前記反応性ガスの供給流量を制御する第1のガス流量制御手段と、前記放電ガスの供給流量を制御する第2のガス流量制御手段と、前記カソードに電圧を印加する電源と、磁場を形成する磁気回路と、前記チャンバー内で、かつ前記ターゲットに対向するように配され、基板を設置固定する基板ホルダーとから構成される反応性スパッタリング装置。
IPC (2件)：
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