特許
J-GLOBAL ID:200903043244264600

外力検出装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 広瀬 和彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-338887
公開番号(公開出願番号):特開平10-160482
出願日: 1996年12月04日
公開日(公表日): 1998年06月19日
要約:
【要約】【課題】 陽極接合時にガラス基板から発生する酸素ガスの量を減少させ、外力検出装置の検出部を減圧雰囲気中に収容する。【解決手段】 ガラス基板10を検出部が形成されたシリコン基板に減圧雰囲気中で陽極接合する前に、電圧印加板21とガラス基板10を密接させた状態で、これらに加熱条件下で高電圧を付与し、ガラス基板10から酸素ガスを放出させ、脱ガスを行う。これにより、陽極接合時にガラス基板10から発生する酸素ガスの量を減少させることができる。ここで、電圧印加板21は、導電性材料からなる板体22と、難酸化材料からなる薄膜23とから構成されている。
請求項(抜粋):
ガラス材料からなる第1の基板に加熱条件下で電圧を印加し、該第1の基板から酸素ガスを発生させる脱ガス工程と、該脱ガス工程とは別個に、導電性材料からなる第2の基板に外力を検出する検出部を形成する検出部形成工程と、前記脱ガス工程を経た第1の基板と該検出部形成工程によって検出部が形成された前記第2の基板との間に当該検出部を収容した状態で、前記第1の基板と第2の基板とを減圧雰囲気中で陽極接合する陽極接合工程とから構成してなる外力検出装置の製造方法。
IPC (3件):
G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84
FI (3件):
G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z
引用特許:
出願人引用 (1件)

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