特許
J-GLOBAL ID：200903043244419107
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-230006
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074246
出願日： 1995年09月07日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 生産性に優れ、コンタクト抵抗率の低いオーミックコンタクトを有するp側電極を備えた半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型InP基板10の一主面上に順次配置されたn型InPクラッド層9,InGaAsP活性層8,p型InPクラッド層7と、該p型クラッド層7上に順次配置された、高濃度p型InP層3と高濃度n型InP層2とにより構成されるトンネルダイオード構造20と、該トンネルダイオード構造20上に配置されたp側電極1と、上記基板10の一主面と反対側の面上に配置されたn側電極11とを備えるようにした。
請求項（抜粋）：
n型半導体基板と、該n型半導体基板の一主面上に配置されたn型クラッド層と、該n型クラッド層上に配置された活性層と、該活性層上に配置されたp型クラッド層と、該p型クラッド層上に順次配置された、上記活性層よりも実効的なバンドギャップエネルギーが大きい材料からなる高濃度p型半導体層と高濃度n型半導体層とにより構成されるトンネルダイオード構造と、該トンネルダイオード構造上に配置された、n型の半導体材料に対するコンタクト抵抗率の小さい金属材料からなるp側電極と、上記基板の一主面と反対側の面上に配置された、n型の半導体材料に対するコンタクト抵抗率の小さい金属材料からなるn側電極とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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