特許

J-GLOBAL ID：200903043245447333

半導体装置の製造方法

発明者： 中島 伸二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169450
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037185
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法に関し、配線層として用いるアルミニウム合金膜の結晶粒径を大きくすると共にウィスカーの析出をなくすことにより、エレクトロマイグレーション耐圧が高く、且つ、微細加工に優れたアルミニウム合金膜を得る。【構成】 半導体基体11上に、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中においてアルミニウム合金膜13aを成膜し、次いで、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中で加熱処理を行い、その後、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中でウェハ10を冷却する。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中においてアルミニウム合金を成膜し、次いで、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中において加熱処理を行い、その後、酸素と水蒸気の分圧の和が1×10-10 Torr以下の雰囲気中で冷却することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301