特許
J-GLOBAL ID:200903043250272428

光起電力装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池浦 敏明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-347268
公開番号(公開出願番号):特開平11-168227
出願日: 1997年12月02日
公開日(公表日): 1999年06月22日
要約:
【要約】【課題】 高い光電変換効率を有する光起電力装置を提供する。また、光起電力装置が低コストで得られる製造方法を提供する。【解決手段】 I-III-VI2族化合物半導体からなる光吸収層および光吸収層に接して光の入射側と反対側に形成された導電層を有する光起電力装置において、導電層を構成する材料の格子定数と、I-III-VI2族化合物の格子定数との差が15%以内である光起電力装置。I族およびIII族元素を含む層を少なくともVI族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収層を形成する光起電力装置の製造方法。
請求項(抜粋):
I-III-VI2族化合物半導体からなる光吸収層およびその光吸収層に接して光の入射側と反対側に形成された導電層を有する光起電力装置において、該導電層を構成する材料の格子定数と、I-III-VI2族化合物の格子定数との差が15%以内であることを特徴とする光起電力装置。

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