特許

J-GLOBAL ID：200903043261754793

薄膜トランジスタの作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  張 宏勇 ,  深田 武
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 渡邉 順之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317387
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188402
出願日： 1990年11月09日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 特性の優れた逆スタガード型の薄膜トランジスタを得ることを課題とする。【解決手段】 基板上にゲート電極20を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜15を形成し、ゲート絶縁膜の表面を大気に曝すことなくa-Si半導体膜13を形成し、半導体膜を結晶化することにより、薄膜トランジスタの半導体層は高い移動度を示した。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の上に逆スタガード型の薄膜トランジスタを作製する方法において、基板の上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の表面を大気に曝すことなく、前記ゲート絶縁膜上に非単結晶半導体膜を形成し、前記非単結晶半導体膜を結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/35

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  C23C 14/35 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-103825
  
• 特開昭57-104260
  
• 特開昭53-027483