特許
J-GLOBAL ID：200903043264048962
光電変換素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-352623
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202232
出願日： 1993年12月30日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、変換効率がよく長時間の使用に耐える信頼性の高い光電変換素子を定常的に安定して高収率で得られる製造方法を提供することを目的とする。【構成】 導電性基板上に機能性膜を形成してなる光電変換素子の製造方法において、前記導電性基板の表面を水系の洗浄液を用いて超音波洗浄し、続いて該導電性基板の表面を純水に接触させた後、前記機能性膜を形成することを特徴とする。前記機能性膜は、光反射層としての金属層、反射増加層、及びプラズマCVD法により形成され、シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された半導体光起電力層をからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
導電性基板上に機能性膜を形成してなる光電変換素子の製造方法において、前記導電性基板の表面を水系の洗浄液を用いて超音波洗浄し、続いて該導電性基板の表面を純水に接触させた後、前記機能性膜を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
