特許

J-GLOBAL ID：200903043264771761

半導体製造装置

発明者： 熊谷 浩洋 ,  住友 康祐 ,  得丸 秀行
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-291442
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129240
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 従来に較べて、設置スペースを削減してスペースファクターの向上を図ることができ、製品コストの低減を図ることのできる半導体製造装置を提供する。【構成】 半導体製造装置1には、それぞれ真空処理室3とロードロック室4a、4bを備えた10台のエッチング処理機構A〜Jが設けられている。これらのエッチング処理機構A〜Jには、高圧排気系配管15および低圧排気系配管16が接続されており、高圧排気用真空ポンプ13および低圧排気用真空ポンプ14を共用するよう構成されている。

請求項（抜粋）：

減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す半導体製造装置において、前記被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、この真空処理室に前記被処理物を搬入・搬出するためのロードロック室とを具備した処理機構を複数設け、これらの処理機構の少なくとも一部を開閉弁を有する真空排気配管で接続し、この真空排気配管に設けた真空ポンプを、複数の前記処理機構で共用するよう構成したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (7件)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22