特許
J-GLOBAL ID:200903043275830425

光電変換素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-111529
公開番号(公開出願番号):特開平6-326338
出願日: 1993年05月13日
公開日(公表日): 1994年11月25日
要約:
【要約】光電変換素子およびその製造方法【目的】 自発分極を有する有機半導体層1に内部電界を形成させ、光電荷生成の効率およびキャリア移動速度を向上させ、光電変換効率が向上した光電変換素子およびその製造方法を提供する。【構成】 シアン化ビニリデン-酢酸ビニル共重合体、ビス(4-N、N-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-4-N、N-ジメチルアミノフェニルメタン、τ型フタロシアニンをテトラヒドロフランに分散し、ITOを製膜したガラス基板上にスピンコーティングし、約2μmの有機半導体層1を形成する。ホットプレート上で80°Cに加熱した時点で マイナスにコロナ帯電させてそのまま1時間分極し、その後コロナ帯電を継続したままホットプレートのヒータを切断し、放冷する。続いて、有機半導体層1の上に金を約200オングストローム蒸着して電極層2を形成し、光電変換素子とする。
請求項(抜粋):
自発分極を有する有機半導体層と、前記有機半導体層の自発分極方向に平行でない2つの表面にそれぞれ接するように設けられた2つの電極層のうち少なくとも一方が透明電極層である光電変換素子。
IPC (2件):
H01L 31/04 ,  H01L 29/28
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭63-119276

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