半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263220
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074184
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】内部信号生成回路のメモリトランジスタ特性変動による不安定動作を改善する。【構成】内部信号生成回路のメモリトランジスタ4,5,6を複数個並列にノードAと接地電位2間に挿入し、各メモリトランジスタのコントロールゲートに書込み読出し用回路8の出力を供給する。【効果】メモリトランジスタ4,5,6のうちいずれかのメモリトランジスタが特性変動により十分な導通電流が得られない場合でも、正常なメモリトランジスタがひとつでもあれば、安定した内部信号を生成することができる。

請求項（抜粋）：

ソース/ドレイン領域が形成された基板上方に浮遊ゲートを有し、該浮遊ゲート上方に制御ゲートを有する構造のメモリトランジスタを有し、該メモリトランジスタの記憶情報に基づく内部信号を生成する半導体装置において、上記メモリトランジスタを少なくとも2つ以上有し、そのドレインが共通ノードに接続され、そのソースが接地電位に接続されたメモリトランジスタ部と、該メモリトランジスタ部の各メモリトランジスタの制御ゲートに第1または第2の電圧を供給する第1の電圧供給手段と、上記共通ノードに第3の電圧を供給する第2の電圧供給手段とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 F , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭63-249376
特開平2-226597
特開平3-086999

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