特許
J-GLOBAL ID：200903043285840844
半導体用シリコン単結晶基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-348620
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204150
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】酸化膜耐圧特性の良品率を改善でき、シリコンウェーハとしての特性が低下することなく、シリコンウェーハの生産率の低下を防止すること。【構成】CZ法によりシリコン単結晶を製造し、このシリコン単結晶をスライスして単結晶シリコン基板を得る半導体用シリコン単結晶基板の製造方法であって、シリコン単結晶を製造する際に、5価と3価の電気的活性不純物を2種以上混合し、これらの総不純物量が少なくとも1×1015atoms/cm3以上でドーピングすることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
CZ法によりシリコン単結晶を製造し、このシリコン単結晶をスライスして単結晶シリコン基板を得る半導体用シリコン単結晶基板の製造方法において、シリコン単結晶を製造する際に、5価と3価の電気的活性不純物を2種以上混合し、これらの総不純物量が少なくとも1×1015atoms/cm3以上でドーピングすることを特徴とする半導体用シリコン単結晶基板の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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