特許
J-GLOBAL ID：200903043290862589
半導体装置の製法および半導体装置ならびにそれに用いられる封止用樹脂層付遮蔽板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074245
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266221
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】フリップチップ/サーフェスマウントアレイ構造等の半導体装置の製法。【解決手段】ドーターボード1に、半導体素子3を実装する。そして、実装されたドーターボード1の半導体素子3搭載面に、封止用樹脂層付遮蔽板15の凹部16に上記半導体素子3を対峙させた状態で上記封止用樹脂層付遮蔽板15をドーターボード1に載置する。ついで、加熱することにより、半導体素子3とドーターボード1との空隙内に、溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより半導体装置を製造する。この際、上記封止用樹脂層14は、(a)エポキシ樹脂。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下の溶融シリカ粉末。(x)ペレット密度が真密度に対して99%以上。(y)断面積1mm×2mmの角柱状ペレットを150°Cで10分間加熱溶融し、50μmの空隙を有する2枚の鏡面ガラス板間に侵入させた際の侵入距離が15mm以上。
請求項（抜粋）：
配線回路基板の配線電極に、半導体素子の電極部を当接して上記基板に半導体素子を搭載する工程と、遮蔽板の片面に上記半導体素子に対応する対応部分を残すように下記の封止用樹脂層(α)を部分的に形成して封止用樹脂層付遮蔽板を形成する工程と、上記封止用樹脂層付遮蔽板の上記対応部分に、半導体素子搭載基板の半導体素子を対峙させた状態で上記封止用樹脂層付遮蔽板と半導体素子搭載基板とを重ね合わせる工程と、全体を加熱して、上記配線回路基板と半導体素子との空隙に、溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させて上記基板と半導体素子との空隙を樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。(α)下記の封止用樹脂組成物(A)により形成され、かつ下記の特性(x)および(y)を備えた封止用樹脂層。(A)下記の(a)〜(c)成分を含有する封止用樹脂組成物。(a)結晶性エポキシ樹脂および常温で固体の2官能エポキシ樹脂の少なくとも一方。(b)ノボラック型フェノール樹脂。(c)最大粒径が30μm以下に設定された溶融シリカ粉末。(x)ペレット密度が真密度に対して99%以上。(y)断面積1mm×2mmの角柱状ペレットを150°Cで10分間加熱溶融し、50μmの空隙を有する2枚の鏡面ガラス板間に侵入させた際の侵入距離が15mm以上。
IPC (6件)：
H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C08G 59/24 NHQ
, C08K 3/36 NKX
, C08L 63/00 NJS
H01L 21/56 R
, C08G 59/24 NHQ
, C08K 3/36 NKX
, C08L 63/00 NJS
, H01L 23/30 R
