半導体モジュールの温度検出装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-311448
公開番号（公開出願番号）：特開2001-133330
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】複数のIGBT素子からなる半導体モジュールの温度を検出する場合の、検出温度の誤差を少なくする。【解決手段】 IGBT素子11、21、31のそれぞれに温度検出用ダイオード12、22、32を設け、それらのダイオード12、22、32を並列接続して定電流源40から定電流を供給し、温度検出回路50にて半導体モジュールの温度を検出するように構成したものであって、温度検出用ダイオード12、22、32に、抵抗13、23、33をそれぞれ直列に接続した。

請求項（抜粋）：

複数の素子(11、21、31)からなる半導体モジュールと、各素子に設けられ互いに並列に接続された温度検出素子(12と13、22と23、32と33)と、前記並列接続された温度検出素子の出力電圧に基づいて前記半導体モジュールの温度検出を行う温度検出回路(50)とを備えた半導体モジュールの温度検出装置において、前記温度検出素子のぞれぞれは、ダイオード(12)を形成するPN接合したP型領域(121a)およびN型領域(122a)と、前記P型領域および前記N型領域のうちの一方の領域から延びて形成された抵抗領域(131)とを有し、前記ダイオードと前記抵抗領域による抵抗(13)とが電気的に直列接続された構成になっており、前記抵抗領域の抵抗値は、前記P型領域および前記N型領域による抵抗値よりも大きくなっていることを特徴とする半導体モジュールの温度検出装置。

IPC (4件)：

G01K 7/01 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/861

FI (3件)：

G01K 7/00 391 C , H01L 27/04 H , H01L 29/91 E

Fターム (12件)：

2F056JT06 , 2F056JT08 , 5F038AR09 , 5F038AZ08 , 5F038AZ10 , 5F038BB02 , 5F038BH02 , 5F038BH04 , 5F038BH16 , 5F038CA02 , 5F038DF01 , 5F038EZ20

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