特許

J-GLOBAL ID：200903043297712876

非極性面III族窒化物の製造方法

発明者： 角谷 茂明 ,  倉岡 義孝 ,  三好 実人 ,  今枝 美能留
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184380
公開番号（公開出願番号）：特開2009-018972
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】品質の良い非極性面III族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供することである。【解決手段】非極性面III族窒化物からなる下地膜2Aを基板1上に気相成長法により形成する。下地膜上に、ストライプ状の開口部4を輪郭づけるマスク3を形成する。非極性面III族窒化物からなり、a軸、c軸およびm軸の結晶方位を有する種結晶膜6をマスクを被覆するように気相成長法によって形成する。非極性面III族窒化物8を種結晶膜6上にフラックス法によって育成する。種結晶膜6のc軸と開口部4の長手方向Zとがなす角度θが40°以上、90°以下である。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

非極性面III族窒化物からなる下地膜を基板上に気相成長法により形成する下地膜形成工程; 前記下地膜に、細長い開口部を輪郭づけるマスクを形成するマスク形成工程; 次いで、非極性面III族窒化物からなり、a軸、c軸およびm軸の結晶方位を有する種結晶膜を気相成長法によって形成する種結晶膜形成工程;および 非極性面III族窒化物を前記種結晶膜上にフラックス法によって育成する結晶育成工程 を備えており、前記種結晶膜の前記c軸と前記開口部の長手方向とがなす角度が40°以上、90°以下であることを特徴とする、非極性面III族窒化物の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/00

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B9/00

Fターム (9件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12