特許

J-GLOBAL ID：200903043299211238

絶縁膜の形成方法

発明者： 佐々木 直人 ,  尼崎 義洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183611
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013405
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 耐アッシング性に優れ、クラックの発生もなく、しかも含水分量が少ない、シリコーン樹脂を含有する絶縁膜を形成することを可能とする。【構成】 半導体基板1上に形成された配線2を覆うように層間絶縁膜として有機SOG膜3を塗布し、さらに固化させた後、中空陰極放電による酸素プラズマアッシング処理によりこの有機SOG膜3の表面無機化処理を行う。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコーン樹脂を含有する絶縁膜の形成方法において、少なくともシリコーン樹脂を含有する絶縁膜を基板上に塗布し、熱処理を行うことにより上記絶縁膜を固化させ、中空陰極放電による酸素プラズマ処理を行うことにより上記絶縁膜の表面無機化処理を行うようにしたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。